MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機電系統）的縮寫(xiě)，具有微小的立體結構（三維結構），是處理各種輸入、輸出信號的系統的統稱(chēng)。
是利用微細加工技術(shù)，將機械零零件、電子電路、傳感器、執行機構集成在一塊電路板上的高附加值元件。
1.MEMS工藝
MEMS工藝以成膜工序、光刻工序、蝕刻工序等常規半導體工藝流程為基礎。
下面介紹MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)。
2.晶圓——SOI晶圓
SOI是Silicon On Insulator的縮寫(xiě)，是指在氧化膜上形成了單晶硅層的硅晶圓。已廣泛應用于功率元件和MEMS等，在MEMS中可以使用氧化膜層作為硅蝕刻的阻擋層，因此能夠形成復雜的三維立體結構。
TAIKO磨削
TAIKO是DISCO株式會(huì )社的商標
TAIKO磨削是DISCO公司開(kāi)發(fā)的技術(shù)，在磨削晶圓時(shí)保留最外圍的邊緣，只對其內側進(jìn)行磨削。
TAIKO磨削與通常的磨削相比，具有晶圓曲翹減少、晶圓強度更高、處理容易、與其他工藝的整合性更高等優(yōu)點(diǎn)。
晶圓粘合/熱剝離片工藝
通過(guò)使用支撐晶圓和熱剝離片，可以輕松對薄化晶圓進(jìn)行處理等。
晶圓鍵合
晶圓鍵合大致分為直接鍵合、通過(guò)中間層鍵合2類(lèi)。
直接鍵合不使用粘合劑等，是利用熱處理產(chǎn)生的分子間力使晶圓相互粘合的鍵合，用于制作SOI晶圓等。
通過(guò)中間層鍵合是借助粘合劑等使晶圓互相粘合的鍵合方法。
3.蝕刻
各向同性蝕刻與各向異性蝕刻
通過(guò)在低真空中放電使等離子體產(chǎn)生離子等粒子，利用該粒子進(jìn)行蝕刻的技術(shù)稱(chēng)為反應離子蝕刻。
等離子體中混合存在著(zhù)攜帶電荷的離子和中性的自由基，具有利用自由基的各向同性蝕刻、利用離子的各向異性蝕刻兩種蝕刻作用。
硅深度蝕刻
集各向異性蝕刻和各向同性蝕刻的優(yōu)點(diǎn)于一身的博世工藝技術(shù)已經(jīng)成為了硅深度蝕刻的主流技術(shù)。
通過(guò)重復進(jìn)行Si蝕刻?聚合物沉積?底面聚合物去除，可以進(jìn)行縱向的深度蝕刻。
側壁的凹凸因形似扇貝，稱(chēng)為扇貝形貌。
4.成膜
ALD（原子層沉積）
ALD是Atomic Layer Deposition（原子層沉積）的縮寫(xiě)，是通過(guò)重復進(jìn)行材料供應（前體）和排氣，利用與基板之間的表面反應，分步逐層沉積原子的成膜方式。
通過(guò)采用這種方式，只要有成膜材料可以通過(guò)的縫隙，就能以納米等級的膜厚控制，在小孔側壁和深孔底部等部位成膜，在深度蝕刻時(shí)的聚合物沉積等MEMS加工中形成均勻的成膜。
5.MEMS的相關(guān)術(shù)語(yǔ)
